Российские ученые создали материал для нанокомпьютеров будущего

Исследователи Дальневосточного федерального университета и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН синтезировали гибридную структуру для сверхчувствительных фотодетекторов и устройств памяти нового поколения.

Специалисты института представили разработку для высокопроизводительной наноэлектроники, передает РИА «Новости».

Новый материал обладает уникальными характеристиками и подходит для изучения сильно коррелированных систем.

Главным достижением авторы называют способность...