Samsung начала производство памяти V-NAND нового поколения

Компания Samsung начала производство своей вертикальной NAND (V-NAND) 9-го поколения с трехуровневыми ячейками (TLC) ёмкостью 1 ТБ. Новая память примерно на 50% плотнее и на 10% более энергоэффективна, по сравнению с предшественницей, дебютировавшей в 2022 году.

По словам Хур Сунг-хой, руководителя отдела флеш-продуктов и технологий Samsung Electronics, посредством новейшего массового производства V-NAND компания стремится установить тенденцию на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей высокой плотности...