НИУ ВШЭ: микролазеры выдерживают нагрев до 100 градусов без потери характеристик

Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург продемонстрировали температурную устойчивость микродисковых лазеров на основе InGaN/GaN. Работа открывает новые возможности для создания фотонных схем внутри электронных устройств. Об этом "Газете.Ru" сообщили в пресс-службе образовательного учреждения.

Современная микроэлектроника все чаще сталкивается с ограничениями по энергопотреблению и тепловыделению. Одним из перспективных решений считается...