Физики Института проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербургского государственного университета, Высшей школы экономики и Академического университета имени Ж.И. Алферова изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
Результаты исследования опубликованы в ACS Applied Nano Materials.
InGaN (индий-галий-нитрид) ...