В ИФП СО РАН изучают квантовые точки для улучшения свойств элементов памяти

Возможности использования квантовых точек для создания новых элементов памяти исследует коллектив ученых из Института физики полупроводников (ИФП) им. А. В. Ржанова СО РАН, 3 марта сообщило издание СО РАН «Наука в Сибири». Разрабатываемая новосибирскими исследователями новая технология сможет улучшить такие характеристики памяти, как время хранения информации в энергонезависимом режиме, количество циклов перезаписи и скорость работы, что станет шагом на пути к созданию универсальной памяти. Квантовые точки ...