Новое поколение MRAM: как японские ученые изобрели технологию энергоэффективной памяти

Исследователи из Университета Осаки представили инновационную технологию для устройств магниторезистивной памяти (MRAM), позволяющую существенно снизить энергопотребление при записи данных. Новый подход основан на использовании электрического поля вместо традиционного метода на основе электрического тока.

В последние годы появилось множество новых типов памяти для вычислительных устройств, призванных преодолеть ограничения традиционной оперативной памяти (RAM). MRAM выделяется среди них благодаря таким преимуществам...