Работники Национального исследовательского университета «МЭИ» создали новый источник излучения для EUV-литографии — с повышенным КПД относительно нынешних разработок. Для этого ученые добавили литий в гелиевый плазменный заряд. Новый источник позволит выпускать интегральные схемы по более тонкому техпроцессу и с большим быстродействием. Пока разработка находится на стадии прототипа, но в конечном итоге такой источник планируется применять в российских литографах.
Изображение сгенерировано...