Новосибирские ученые разработали российские аналоги оборудования для производства полупроводниковых структур

В новосибирском Академгородке разработано устройство для создания ионных имплантеров, которые являются одним из ключевых компонентов производства современной микроэлектроники. Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип ионного источника, который подходит для сильноточных имплантеров – разновидность ускорителей, используемая в производстве современной микроэлектроники. Этот результат был озвучен на традиционной пресс-конференции, посвященной итогам года в Институте ядерной физики СО РАН.