Китайские исследователи сделали ряд прорывных разработок в области полупроводников

Компания IME CAS добилась значительного прогресса в исследованиях 3D DRAM высокой плотности

Исследовательская группа из Национальной ключевой лаборатории технологии изготовления интегральных схем Института микроэлектроники Академии наук Китая (IME CAS) в сотрудничестве с Пекинской академией технологий памяти Superstring (SAMT) и Шаньдунским университетом предложила новую архитектуру ячейки памяти с двойным затвором 4F2 2T0C.

Используя процесс самоокисления металла на месте, технология...