SK hynix представила смартфонную память UFS 4.1 на основе 321-слойной 4D NAND

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств. Источник изображения: skhynix.com