Samsung объявила о планах внедрить технологию гибридного соединения при производстве памяти нового поколения HBM4. Такое решение компания представила на форуме AI Semiconductor в Сеуле. Основная цель — повысить плотность соединений между кристаллами памяти и снизить тепловую нагрузку.
HBM-память представляет собой вертикальную укладку нескольких кристаллов на один базовый чип. До сих пор такие стеки соединялись с помощью микросферах и термокомпрессионных технологий. Однако с увеличением скорости передачи данных и количества кристаллов...
Заголовки